Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMN80H2D0SCTI
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3254411DMN80H2D0SCTI-kuvaDiodes Incorporated

DMN80H2D0SCTI

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
50+
$1.449
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMN80H2D0SCTI
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMN80H2D0SCTI.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    ITO-220AB
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    41W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Valmistajan toimitusaika
    33 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1253pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35.4nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    800V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 800V 7A (Tc) 41W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMN80H2D0SCTI" -tuotteita.
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT323

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNF1-288-C

DMNF1-288-C

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.