Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMNH10H028SK3Q-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1844589DMNH10H028SK3Q-13-kuvaDiodes Incorporated

DMNH10H028SK3Q-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.869
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMNH10H028SK3Q-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 55A TO252
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMNH10H028SK3Q-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    DMNH10H028SK3Q-13DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2245pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    55A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMNH10H028SK3Q-13" -tuotteita.
DMNFR163FIB-KD

DMNFR163FIB-KD

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNF6-63M-L

DMNF6-63M-L

Kuvaus: CONN QC TAB 10-12AWG 0.250 CRIMP

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 15A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4011SK3-13

DMNH4011SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SCT

DMNH10H028SCT

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNFR1485FIB-KD

DMNFR1485FIB-KD

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.187

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNF2-63FIB-C

DMNF2-63FIB-C

Kuvaus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNF2-63FIBX-2K

DMNF2-63FIBX-2K

Kuvaus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNG1-63FL-3K

DMNG1-63FL-3K

Kuvaus: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNFR263FIB-KD

DMNFR263FIB-KD

Kuvaus: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
DMNF6-63FIB-2K

DMNF6-63FIB-2K

Kuvaus: CONN QC RCPT 10-12AWG 0.250

valmistajat: Panduit
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.