Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMNH4011SK3-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6976834DMNH4011SK3-13-kuvaDiodes Incorporated

DMNH4011SK3-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.443
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMNH4011SK3-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 40V 50A TO252
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMNH4011SK3-13.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 50A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.6W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    DMNH4011SK3-13DI
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1405pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.5nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    40V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 40V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMNH4011SK3-13" -tuotteita.
DMNH4015SSD-13

DMNH4015SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4011SK3Q-13

DMNH4011SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SPS-13

DMNH10H028SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6008SPS-13

DMNH6008SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4006SK3-13

DMNH4006SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 18A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6008SCTQ

DMNH6008SCTQ

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4006SPSQ-13

DMNH4006SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH6008SCT

DMNH6008SCT

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4011SPS-13

DMNH4011SPS-13

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4005SCT

DMNH4005SCT

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4006SK3Q-13

DMNH4006SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 20A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4026SSDQ-13

DMNH4026SSDQ-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SPSQ-13

DMNH10H028SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 15A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4005SPSQ-13

DMNH4005SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH10H028SK3Q-13

DMNH10H028SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4011SPSQ-13

DMNH4011SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4015SSDQ-13

DMNH4015SSDQ-13

Kuvaus: MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMNH4026SSD-13

DMNH4026SSD-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.