Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMT3006LDK-7

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5013826

DMT3006LDK-7-kuva

Diodes Incorporated

DMT3006LDK-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$0.56

10+

$0.474

100+

$0.355

500+

$0.261

1000+

$0.201

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMT3006LDK-7
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMT3006LDK-7.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

V-DFN3030-8
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max)

1.1W (Ta)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

8-PowerWDFN
Muut nimet

DMT3006LDK-7DICT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

16 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1320pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.6nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) 1.1W (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

17.1A (Ta), 46.2A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMT3006LDK-7" -tuotteita.

DMT3004LPS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3003LFG-7

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3004LFG-7

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT2S1K-F

Kuvaus: CAP FILM 10000PF 10% 250VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics

Varastossa

DMT3003LFG-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3008LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3008LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LFG-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT2P68K

Kuvaus: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics

Varastossa

DMT3004LFG-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3002LPS-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT2P68K-F

Kuvaus: CAP FILM 0.68UF 10% 250VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics

Varastossa

DMT3009LDT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LFDF-7

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT3006LFDF-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT2S47K-F

Kuvaus: CAP FILM 0.047UF 10% 250VDC RAD

valmistajat: Cornell Dubilier Electronics

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.