Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > DMT3009LDT-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
544040DMT3009LDT-7-kuvaDiodes Incorporated

DMT3009LDT-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.41
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMT3009LDT-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMT3009LDT-7.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    V-DFN3030-8 (Type K)
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Virta - Max
    1.2W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-VDFN Exposed Pad
  • Muut nimet
    DMT3009LDT-7-ND
    DMT3009LDT-7DITR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 15V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    30A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMT3009LDT-7" -tuotteita.
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LDK-7

DMT3006LDK-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFDF-13

DMT3006LFDF-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.