Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMT3009LFVW-7
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4731605DMT3009LFVW-7-kuvaDiodes Incorporated

DMT3009LFVW-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2000+
$0.253
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMT3009LFVW-7
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMT3009LFVW-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerDI3333-8
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 14.4A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.3W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerVDFN
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    823pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    3.8V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 50A (Tc)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMT3009LFVW-7" -tuotteita.
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFG-7

DMT3006LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFG-13

DMT3006LFG-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LPS-13

DMT3006LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFV-7

DMT3006LFV-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDF-7

DMT3020LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Kuvaus: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3006LFV-13

DMT3006LFV-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Kuvaus: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.