Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMT6010LFG-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3816033DMT6010LFG-13-kuvaDiodes Incorporated

DMT6010LFG-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.367
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMT6010LFG-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMT6010LFG-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerDI3333-8
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    7.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.2W (Ta), 41W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerWDFN
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    32 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2090pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    41.3nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 13A (Ta), 30A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta), 30A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMT6010LFG-13" -tuotteita.
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6010SCT

DMT6010SCT

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 11A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13.5A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6010LSS-13

DMT6010LSS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6015LSS-13

DMT6015LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6015LFV-13

DMT6015LFV-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.