Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMT6015LFV-7

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4414711

DMT6015LFV-7-kuva

Diodes Incorporated

DMT6015LFV-7

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2000+

$0.235

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMT6015LFV-7
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMT6015LFV-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerDI3333-8
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2.2W (Ta), 30W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-PowerVDFN
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

20 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1103pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 35A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMT6015LFV-7" -tuotteita.

DMT6016LFDF-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6010LFG-7

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6010LFG-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6017LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6010LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 13.5A

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6015LPS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6016LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6010LSS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6009LSS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6015LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6016LFDF-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT68M8LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6016LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6015LFV-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMT6009LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.