Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMTH6004SK3Q-13
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1230218

DMTH6004SK3Q-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.66
10+
$1.469
100+
$1.161
500+
$0.90
1000+
$0.711
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    DMTH6004SK3Q-13
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET NCH 60V 100A TO252
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    DMTH6004SK3Q-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252-4L
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    3.8 mOhm @ 90A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    3.9W (Ta), 180W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
  • Muut nimet
    DMTH6004SK3Q-13DICT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 100A (Tc) 3.9W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount TO-252-4L
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "DMTH6004SK3Q-13" -tuotteita.
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.2A

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Kuvaus: MOSFET 60V 100A TO220-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6005LK3-13

DMTH6005LK3-13

Kuvaus: MOSFET 60V 90A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH43M8LK3Q-13

DMTH43M8LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 90A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Kuvaus: MOSFET N-CH

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.