Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > DMTH6004SPSQ-13

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4102601

DMTH6004SPSQ-13-kuva

Diodes Incorporated

DMTH6004SPSQ-13

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$1.195

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

DMTH6004SPSQ-13
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

DMTH6004SPSQ-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerDI5060-8
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 50A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2.1W (Ta), 167W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-PowerTDFN
Muut nimet

DMTH6004SPSQ-13DITR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

20 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Contains lead / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4556pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.1W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

25A (Ta), 100A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "DMTH6004SPSQ-13" -tuotteita.

DMTH6004LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004SPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 90A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004SCT

DMTH6004SCT

Kuvaus: MOSFET 60V 100A TO220-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6009LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.2A

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6010LK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6005LPS-13

Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004SK3-13

Kuvaus: MOSFET N-CHA 60V 100A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004SCTBQ-13

DMTH6004SCTBQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A TO263

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6005LCT

DMTH6005LCT

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004LPSQ-13

DMTH6004LPSQ-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Kuvaus: MOSFET N-CH

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13

Kuvaus: MOSFETN-CH 40VPOWERDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13

Kuvaus: MOSFET NCH 60V 100A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6009LPS-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6005LK3-13

Kuvaus: MOSFET 60V 90A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.