Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > ZXMHC10A07T8TA

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

679272

ZXMHC10A07T8TA-kuva

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$2.02

10+

$1.824

100+

$1.466

500+

$1.14

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

ZXMHC10A07T8TA
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

ZXMHC10A07T8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Toimittaja Device Package

SM8
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 1.5A, 10V
Virta - Max

1.3W
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

SOT-223-8
Muut nimet

ZXMHC10A07T8CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

20 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Contains lead / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V
FET tyyppi

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET Ominaisuus

Standard
Valua lähde jännite (Vdss)

100V
Yksityiskohtainen kuvaus

Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

1A, 800mA
Perusosan osanumero

ZXMHC10A07T8

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "ZXMHC10A07T8TA" -tuotteita.

ZXMD65P02N8TA

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN10A07FTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN10A07FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD63P03XTA

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD63P02XTC

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD65N02N8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHC6A07T8TA

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD65P03N8TA

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHC3F381N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHN6A07T8TA

Kuvaus: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD65N03N8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN0545G4TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHC10A07N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN0545FFTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHC6A07N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD65P02N8TC

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD63P02XTA

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMD63P03XTC

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHC3A01N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMHC3A01T8TA

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.