Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > ZXMHN6A07T8TA
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6601106ZXMHN6A07T8TA-kuvaDiodes Incorporated

ZXMHN6A07T8TA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$5.65
10+
$5.074
100+
$4.158
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    ZXMHN6A07T8TA
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    ZXMHN6A07T8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    SM8
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 1.8A, 10V
  • Virta - Max
    1.6W
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    SOT-223-8
  • Muut nimet
    1034-ZXMHN6A07T8CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    166pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.2nC @ 10V
  • FET tyyppi
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • FET Ominaisuus
    Logic Level Gate
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    1.4A

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "ZXMHN6A07T8TA" -tuotteita.
ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMHC3F381N8TC

ZXMHC3F381N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMD65P03N8TA

ZXMD65P03N8TA

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMD65P02N8TC

ZXMD65P02N8TC

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMHC6A07N8TC

ZXMHC6A07N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMHC3A01T8TA

ZXMHC3A01T8TA

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMHC3A01N8TC

ZXMHC3A01N8TC

Kuvaus: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMD65P02N8TA

ZXMD65P02N8TA

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.