Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > ZXMN6A09GTA

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2482851

ZXMN6A09GTA-kuva

Diodes Incorporated

ZXMN6A09GTA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1000+

$0.595

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

ZXMN6A09GTA
Valmistaja / merkki

Diodes Incorporated
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
Lyijytön tila / RoHS-tila

Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

ZXMN6A09GTA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

SOT-223
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 8.2A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-261-4, TO-261AA
Muut nimet

ZXMN6A09GTR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

20 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Contains lead / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1407pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24.2nC @ 5V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 5.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "ZXMN6A09GTA" -tuotteita.

ZXMN6A08GQTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60VSOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A08GQTC

Kuvaus: MOSFETN-CH 60VSOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A25DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A10N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A08E6TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A09DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A09DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A08KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A11GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A08GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A07ZTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A09KQTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A11DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A11ZTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A25G

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A11GTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A11DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A09KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A08E6TC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

ZXMN6A08E6QTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.