Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > ZXMN6A11GTA
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5188700ZXMN6A11GTA-kuvaDiodes Incorporated

ZXMN6A11GTA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.85
10+
$0.742
100+
$0.573
500+
$0.424
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    ZXMN6A11GTA
  • Valmistaja / merkki
    Diodes Incorporated
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    ZXMN6A11GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-223
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    120 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2W (Ta)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Muut nimet
    ZXMN6A11GDKR
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE
    ZXMN6A11GDKRINACTIVE-ND
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    20 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    330pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.7nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 3.1A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    3.1A (Ta)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "ZXMN6A11GTA" -tuotteita.
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN7A11KTC

ZXMN7A11KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A25GTA

ZXMN6A25GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08GTA

ZXMN6A08GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A25G

ZXMN6A25G

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A10N8TA

ZXMN6A10N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 8SO

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A09KTC

ZXMN6A09KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A09KQTC

ZXMN6A09KQTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A25K

ZXMN6A25K

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A11GTC

ZXMN6A11GTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A08KTC

ZXMN6A08KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A25KTC

ZXMN6A25KTC

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V DPAK

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

valmistajat: Diodes Incorporated
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.