Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4484EY-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2322413

SI4484EY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4484EY-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4484EY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 6.9A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.8W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    SI4484EY-T1-GE3CT
    SI4484EYT1GE3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 4.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    4.8A (Ta)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4484EY-T1-GE3" -tuotteita.
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.