Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4490DY-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2408168

SI4490DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.909

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI4490DY-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI4490DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-SO
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max)

1.56W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet

SI4490DY-T1-GE3TR
SI4490DYT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

200V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 200V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

2.85A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI4490DY-T1-GE3" -tuotteita.

SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4488DY-T1-E3

SI4488DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4500BDY-T1-E3

SI4500BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4501ADY-T1-GE3

SI4501ADY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4491EDY-T1-GE3

SI4491EDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4493DY-T1-GE3

SI4493DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4500BDY-T1-GE3

SI4500BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4493DY-T1-E3

SI4493DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4497DY-T1-GE3

SI4497DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4505DY-T1-E3

SI4505DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4487DY-T1-GE3

SI4487DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4501ADY-T1-E3

SI4501ADY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4501BDY-T1-GE3

SI4501BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.