Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7308DN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

1898226

SI7308DN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7308DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.547

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7308DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7308DN-T1-GE3.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 5.4A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SI7308DN-T1-GE3TR
SI7308DNT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7308DN-T1-GE3" -tuotteita.

SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7236DP-T1-GE3

SI7236DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7302DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Kuvaus: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SI72XX-WD-KIT

Kuvaus: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7322DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7308DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7309DN-T1-GE3

SI7309DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7309DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7328DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7326DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.