Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7322DN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3177314

SI7322DN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7322DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$1.76

10+

$1.563

100+

$1.235

500+

$0.958

1000+

$0.756

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7322DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7322DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 5.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SI7322DN-T1-GE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

100V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 100V 18A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7322DN-T1-GE3" -tuotteita.

SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7309DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7328DN-T1-GE3

SI7328DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7309DN-T1-GE3

SI7309DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7302DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7344DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7328DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7308DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7322DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7336ADP-T1-GE3

SI7336ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7326DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7356ADP-T1-E3

SI7356ADP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7342DP-T1-GE3

SI7342DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.