Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIA106DJ-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4967815

SIA106DJ-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA106DJ-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$1.06

10+

$0.924

100+

$0.713

500+

$0.528

1000+

$0.422

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIA106DJ-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIA106DJ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SC-70-6 Single
Sarja

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ Id, Vgs

18.5 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
Pakkaus

Original-Reel®
Pakkaus / Case

PowerPAK® SC-70-6
Muut nimet

SIA106DJ-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.5nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 60V 10A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 12A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIA106DJ-T1-GE3" -tuotteita.

SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA411DJ-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA408DJ-T1-GE3

SIA408DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.