Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIA421DJ-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3182596SIA421DJ-T1-GE3-kuvaVishay Siliconix

SIA421DJ-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.04
10+
$0.925
25+
$0.878
100+
$0.721
250+
$0.674
500+
$0.596
1000+
$0.47
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIA421DJ-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Vishay / Siliconix
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIA421DJ-T1-GE3.pdf
  • Jännite - Testi
    950pF @ 15V
  • Jännite - Breakdown
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    35 mOhm @ 5.3A, 10V
  • Vgs (Max)
    4.5V, 10V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RoHS-tila
    Cut Tape (CT)
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Polarisaatio
    PowerPAK® SC-70-6
  • Muut nimet
    SIA421DJ-T1-GE3CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Valmistajan osanumero
    SIA421DJ-T1-GE3
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    29nC @ 10V
  • IGBT Tyyppi
    ±20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • FET Ominaisuus
    P-Channel
  • Laajennettu kuvaus
    P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    -
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    30V
  • kapasitanssi Ratio
    3.5W (Ta), 19W (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIA421DJ-T1-GE3" -tuotteita.
SIA411DJ-T1-E3

SIA411DJ-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

valmistajat: Vishay Siliconix
Varastossa
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.