Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIA430DJ-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

759006

SIA430DJ-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA430DJ-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIA430DJ-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIA430DJ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SC-70-6 Single
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

13.5 mOhm @ 7A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Pakkaus

Original-Reel®
Pakkaus / Case

PowerPAK® SC-70-6
Muut nimet

SIA430DJ-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIA430DJ-T1-GE3" -tuotteita.

SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.