Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIB413DK-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2550146SIB413DK-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB413DK-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIB413DK-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIB413DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Muut nimet
    SIB413DK-T1-GE3DKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    357pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.63nC @ 5V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIB413DK-T1-GE3" -tuotteita.
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Kuvaus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

valmistajat: Samtec, Inc.
Varastossa
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Kuvaus: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

valmistajat: Samtec, Inc.
Varastossa
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.