Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIB437EDKT-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

1488394

SIB437EDKT-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIB437EDKT-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIB437EDKT-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® TSC75-6
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 3A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

2.4W (Ta), 13W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

PowerPAK® TSC-75-6
Muut nimet

SIB437EDKT-T1-GE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

8V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIB437EDKT-T1-GE3" -tuotteita.

SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB900EDK-T1-GE3

SIB900EDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.