Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIJA58DP-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5010959

SIJA58DP-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIJA58DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.472

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIJA58DP-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIJA58DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max)

27.7W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Muut nimet

SIJA58DP-T1-GE3-ND
SIJA58DP-T1-GE3TR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 40V 60A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIJA58DP-T1-GE3" -tuotteita.

SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ484DP-T1-GE3

SIJ484DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJH440E-T1-GE3

SIJH440E-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ494DP-T1-GE3

SIJ494DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI1046R-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ458DP-T1-GE3

SIJ458DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ400DP-T1-GE3

SIJ400DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

AO4421L

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Varastossa

SIJA52DP-T1-GE3

SIJA52DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

BS107PSTOA

BS107PSTOA

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

valmistajat: Diodes Incorporated

Varastossa

SIJ482DP-T1-GE3

SIJ482DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ462DP-T1-GE3

SIJ462DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

IXFN39N90

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

NTD14N03R-001

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

SIJA72ADP-T1-GE3

SIJA72ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ420DP-T1-GE3

SIJ420DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIJ800DP-T1-GE3

SIJ800DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.