Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIR890DP-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4802197SIR890DP-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR890DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$3.34
10+
$3.018
100+
$2.425
500+
$1.886
1000+
$1.563
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIR890DP-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIR890DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® SO-8
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2.9 mOhm @ 10A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    5W (Ta), 50W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Muut nimet
    SIR890DP-T1-GE3CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2747pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    20V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 20V 50A (Tc) 5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIR890DP-T1-GE3" -tuotteita.
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Kuvaus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

valmistajat: Everlight Electronics
Varastossa
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.