Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIRA02DP-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3479265

SIRA02DP-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA02DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.885

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIRA02DP-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

1.SIRA02DP-T1-GE3.pdf
2.SIRA02DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 15A, 10V
Tehonkulutus (Max)

5W (Ta), 71.4W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Muut nimet

SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DPT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

6150pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

117nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIRA02DP-T1-GE3" -tuotteita.

SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR928-6C-F

Kuvaus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

valmistajat: Everlight Electronics

Varastossa

SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.