Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIS427EDN-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1526314SIS427EDN-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS427EDN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.30
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIS427EDN-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIS427EDN-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® 1212-8
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    10.6 mOhm @ 11A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Muut nimet
    SIS427EDN-T1-GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1930pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 30V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIS427EDN-T1-GE3" -tuotteita.
SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS447DN-T1-GE3

SIS447DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS434DN-T1-GE3

SIS434DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS439DNT-T1-GE3

SIS439DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS436DN-T1-GE3

SIS436DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS444DN-T1-GE3

SIS444DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.