Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SQJ204EP-T1_GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4261087

SQJ204EP-T1_GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ204EP-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.57

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SQJ204EP-T1_GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SQJ204EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Virta - Max

27W (Tc), 48W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8 Dual
Muut nimet

SQJ204EP-T1_GE3TR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

47 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 50nC @ 10V
FET tyyppi

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Ominaisuus

Standard
Valua lähde jännite (Vdss)

12V
Yksityiskohtainen kuvaus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 60A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SQJ204EP-T1_GE3" -tuotteita.

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 15A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.