Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SQJQ402E-T1_GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5601680

SQJQ402E-T1_GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ402E-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2000+

$1.025

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SQJQ402E-T1_GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Lyijytön tila / RoHS-tila
lomakkeissa

SQJQ402E-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 8 x 8
Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max)

150W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 8 x 8 Single
Muut nimet

SQJQ402E-T1_GE3-ND
SQJQ402E-T1_GE3TR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

13500pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SQJQ402E-T1_GE3" -tuotteita.

SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.