Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SQJQ910EL-T1_GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2930598SQJQ910EL-T1_GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJQ910EL-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2000+
$1.102
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SQJQ910EL-T1_GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SQJQ910EL-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    8.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Virta - Max
    187W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Muut nimet
    SQJQ910EL-T1_GE3-ND
    SQJQ910EL-T1_GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2832pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 Dual
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SQJQ910EL-T1_GE3" -tuotteita.
SQJB70EP-T1_GE3

SQJB70EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJB80EP-T1_GE3

SQJB80EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ906E-T1_GE3

SQJQ906E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ906EL-T1_GE3

SQJQ906EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ480E-T1_GE3

SQJQ480E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ904E-T1_GE3

SQJQ904E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ980EL-T1_GE3

SQJQ980EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJB90EP-T1_GE3

SQJB90EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ900E-T1_GE3

SQJQ900E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ960EL-T1_GE3

SQJQ960EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ410EL-T1_GE3

SQJQ410EL-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.