Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GP2M012A080NG
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5125621GP2M012A080NG-kuvaGlobal Power Technologies Group

GP2M012A080NG

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    GP2M012A080NG
  • Valmistaja / merkki
    SemiQ
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    GP2M012A080NG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-3PN
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    416W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Muut nimet
    1560-1211-1
    1560-1211-1-ND
    1560-1211-5
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3370pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    79nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    800V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "GP2M012A080NG" -tuotteita.
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24

GP2S24

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.