Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GP2M020A050N
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1321853GP2M020A050N-kuvaGlobal Power Technologies Group

GP2M020A050N

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    GP2M020A050N
  • Valmistaja / merkki
    SemiQ
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    GP2M020A050N.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-3PN
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 10A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    312W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2880pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    500V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 500V 20A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "GP2M020A050N" -tuotteita.
GP2S24

GP2S24

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24BJ000F

GP2S24BJ000F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S27T

GP2S27T

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2S27T2J00F

GP2S27T2J00F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER REFL 0.7MM SMD

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP2S24J0000F

GP2S24J0000F

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.