Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N5809URS
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6710391

JAN1N5809URS

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
100+
$19.466
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N5809URS
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N5809URS.pdf
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    875mV @ 4A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    100V
  • Toimittaja Device Package
    B, SQ-MELF
  • Nopeus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    SQ-MELF, B
  • Muut nimet
    1086-19441
    1086-19441-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -65°C ~ 175°C
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    5µA @ 100V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    3A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N5809URS" -tuotteita.
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.