Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N5816
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5301396

JAN1N5816

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N5816
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • lomakkeissa
    JAN1N5816.pdf
  • ECAD -malli
  • Jännite - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    20A
  • Jännite - Breakdown
    DO-203AA (DO-4)
  • Sarja
    MILITARY, MIL-PRF-19500/478
  • RoHS-tila
    Bulk
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistance @ Jos F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Polarisaatio
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Muut nimet
    1086-15839
    1086-15839-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    35ns
  • Asennustyyppi
    Chassis, Stud Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan osanumero
    JAN1N5816
  • Laajennettu kuvaus
    Diode Standard 150V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • diodikonfiguraatiolla
    10µA @ 150V
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    950mV @ 20A
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io) (per Diode)
    150V
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N5816" -tuotteita.
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Kuvaus: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

Kuvaus: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Kuvaus: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

Kuvaus: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Kuvaus: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Kuvaus: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.