Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N6628US
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5578562JAN1N6628US-kuvaMicrosemi

JAN1N6628US

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
100+
$21.377
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N6628US
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • ECAD -malli
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.35V @ 2A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    660V
  • Toimittaja Device Package
    D-5B
  • Nopeus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    E-MELF
  • Muut nimet
    1086-19987
    1086-19987-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -65°C ~ 150°C
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    2µA @ 660V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    1.75A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N6628US" -tuotteita.
JAN1N6627

JAN1N6627

Kuvaus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Kuvaus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Kuvaus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Kuvaus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Kuvaus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.