Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > JAN1N6631U
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4558735

JAN1N6631U

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    JAN1N6631U
  • Valmistaja / merkki
    Microsemi
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.6V @ 1.4A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    1000V
  • Toimittaja Device Package
    D-5B
  • Nopeus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sarja
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    60ns
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    SQ-MELF, E
  • Muut nimet
    1086-19999
    1086-19999-MIL
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -65°C ~ 150°C
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 1000V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    4µA @ 1000V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    1.4A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    -

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "JAN1N6631U" -tuotteita.
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6640

JAN1N6640

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

valmistajat: Microsemi Corporation
Varastossa
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Kuvaus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Kuvaus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Kuvaus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Kuvaus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

valmistajat: Microsemi
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.