Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > R6030835ESYA
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4719483

R6030835ESYA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
30+
$62.238
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    R6030835ESYA
  • Valmistaja / merkki
    Powerex, Inc.
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    R6030835ESYA.pdf
  • Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos
    1.5V @ 800A
  • Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
    800V
  • Toimittaja Device Package
    DO-205AB, DO-9
  • Nopeus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sarja
    -
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    2µs
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Käyttölämpötila - liitäntä
    -45°C ~ 150°C
  • Asennustyyppi
    Chassis, Stud Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • diodi Tyyppi
    Standard
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr
    50mA @ 800V
  • Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)
    350A
  • Kapasitanssi @ Vr, F
    -

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "R6030835ESYA" -tuotteita.
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.