Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > R6031025HSYA

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

399954

R6031025HSYA

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

30+

$75.524

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

R6031025HSYA
Valmistaja / merkki

Powerex, Inc.
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

R6031025HSYA.pdf
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos

2V @ 800A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)

1000V
Toimittaja Device Package

DO-205AB, DO-9
Nopeus

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja

-
Käänteinen Recovery Time (TRR)

1µs
Pakkaus

Bulk
Pakkaus / Case

DO-205AB, DO-9, Stud
Käyttölämpötila - liitäntä

-45°C ~ 150°C
Asennustyyppi

Chassis, Stud Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

12 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
diodi Tyyppi

Standard
Yksityiskohtainen kuvaus

Diode Standard 1000V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr

50mA @ 1000V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)

250A
Kapasitanssi @ Vr, F

-

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

laivaus

Maksu

Seuraava on "R6031025HSYA" -tuotteita.

R6030KNXC7

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6030835ESYA

R6030835ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6035ENZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6031035ESYA

R6031035ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6031225HSYA

R6031225HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6030ENX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6035KNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6031235ESYA

R6031235ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6030MNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6030KNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6030ENZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6030KNZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6035KNZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6031425HSYA

R6031425HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6031222PSYA

R6031222PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6031435ESYA

R6031435ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.

Varastossa

R6030KNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6035ENZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

R6030ENZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.