Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaari (BJT) - RF > MT3S113P(TE12L,F)
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1058309MT3S113P(TE12L,F)-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1000+
$0.423
2000+
$0.395
5000+
$0.375
10000+
$0.36
25000+
$0.35
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    MT3S113P(TE12L,F)
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    MT3S113P(TE12L,F).pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    5.3V
  • transistori tyyppi
    NPN
  • Toimittaja Device Package
    PW-MINI
  • Sarja
    -
  • Virta - Max
    1.6W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-243AA
  • Muut nimet
    MT3S113P(TE12LF)
    MT3S113P(TE12LF)TR
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Noise Kuva (dB Typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Saada
    10.5dB
  • Taajuus - Siirtyminen
    7.7GHz
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "MT3S113P(TE12L,F)" -tuotteita.
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Kuvaus: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Kuvaus: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Kuvaus: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

Kuvaus: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Kuvaus: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Kuvaus: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Kuvaus: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Kuvaus: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Kuvaus: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Kuvaus: PARALLEL/PSRAM 48M

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Kuvaus: PARALLEL/PSRAM 80M

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

Kuvaus: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Kuvaus: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Kuvaus: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Kuvaus: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.