Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaari (BJT) - RF > MT3S113TU,LF
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2336958MT3S113TU,LF-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.256
6000+
$0.243
15000+
$0.233
30000+
$0.227
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    MT3S113TU,LF
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    MT3S113TU,LF.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    5.3V
  • transistori tyyppi
    NPN
  • Toimittaja Device Package
    UFM
  • Sarja
    -
  • Virta - Max
    900mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    3-SMD, Flat Leads
  • Muut nimet
    MT3S113TU,LF(B
    MT3S113TULF
    MT3S113TULF(B
    MT3S113TULFTR
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Noise Kuva (dB Typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    12 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Saada
    12.5dB
  • Taajuus - Siirtyminen
    11.2GHz
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW Surface Mount UFM
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "MT3S113TU,LF" -tuotteita.
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Kuvaus: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Kuvaus: PARALLEL/PSRAM 80M

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Kuvaus: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Kuvaus: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Kuvaus: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

Kuvaus: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Kuvaus: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Kuvaus: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Kuvaus: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Kuvaus: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Kuvaus: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Kuvaus: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Kuvaus: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

Kuvaus: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Kuvaus: PARALLEL/PSRAM 48M

valmistajat: Micron Technology
Varastossa
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Kuvaus: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

valmistajat: Agastat Relays / TE Connectivity
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.