Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > RN1101MFV,L3F
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2651869RN1101MFV,L3F-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
8000+
$0.027
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    RN1101MFV,L3F
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    RN1101MFV,L3F.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • transistori tyyppi
    NPN - Pre-Biased
  • Toimittaja Device Package
    VESM
  • Sarja
    -
  • Vastus - emitteripohja (R2)
    4.7 kOhms
  • Vastus - pohja (R1)
    4.7 kOhms
  • Virta - Max
    150mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SOT-723
  • Muut nimet
    RN1101MFV,L3F(B
    RN1101MFV,L3F(T
    RN1101MFVL3FTR
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "RN1101MFV,L3F" -tuotteita.
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN104PJ390CS

RN104PJ390CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ3R0CS

RN104PJ3R0CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ472CS

RN104PJ472CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.