Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > RN1102MFV,L3F
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5478717RN1102MFV,L3F-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.27
10+
$0.243
25+
$0.175
100+
$0.136
250+
$0.086
500+
$0.073
1000+
$0.05
2500+
$0.045
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    RN1102MFV,L3F
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    RN1102MFV,L3F.pdf
  • ECAD -malli
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • transistori tyyppi
    NPN - Pre-Biased
  • Toimittaja Device Package
    VESM
  • Sarja
    -
  • Vastus - emitteripohja (R2)
    10 kOhms
  • Vastus - pohja (R1)
    10 kOhms
  • Virta - Max
    150mW
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    SOT-723
  • Muut nimet
    RN1102MFV(TL3T)CT
    RN1102MFV(TL3T)CT-ND
    RN1102MFVL3F(BCT
    RN1102MFVL3F(BCT-ND
    RN1102MFVL3FCT
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    16 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "RN1102MFV,L3F" -tuotteita.
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1101CT(TPL3)

RN1101CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Kuvaus: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

valmistajat: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Varastossa
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.