Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > RN1117(T5L,F,T)

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5346265

RN1117(T5L,F,T)-kuva

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$0.25

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN1117(T5L,F,T)
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN1117(T5L,F,T).pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi

NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package

SSM
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

4.7 kOhms
Vastus - pohja (R1)

10 kOhms
Virta - Max

100mW
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

SC-75, SOT-416
Muut nimet

RN1117(T5LFT)CT
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

250MHz
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

500nA
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN1117(T5L,F,T)" -tuotteita.

RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1117MFV,L3F

Kuvaus: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Kuvaus: CMC 27MH 400MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1115,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Kuvaus: CMC 15MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1113CT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN111PC

Kuvaus: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

valmistajat: Conxall / Switchcraft

Varastossa

RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN112-0.4-02

Kuvaus: CMC 39MH 400MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Kuvaus: CMC 39MH 400MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.5-02

Kuvaus: CMC 27MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1115MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.