Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - Bipolar (BJT) - Yksittäinen, esiase > RN1119MFV,L3F

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

748816

RN1119MFV,L3F

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

8000+

$0.029

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN1119MFV,L3F
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN1119MFV,L3F.pdf
ECAD -malli
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
transistori tyyppi

NPN - Pre-Biased
Toimittaja Device Package

VESM
Sarja

-
Vastus - pohja (R1)

1 kOhms
Virta - Max

150mW
Pakkaus / Case

SOT-723
Muut nimet

RN1119MFVL3F
Asennustyyppi

Surface Mount
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "RN1119MFV,L3F" -tuotteita.

RN1115,LF(CT

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1117(T5L,F,T)

RN1117(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1116MFV,L3F

RN1116MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1118MFV,L3F

RN1118MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN112-0.5-02

Kuvaus: CMC 27MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.4-02-27M

RN112-0.4-02-27M

Kuvaus: CMC 27MH 400MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.4-02-39M

RN112-0.4-02-39M

Kuvaus: CMC 39MH 400MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.6-02

Kuvaus: CMC 15MH 600MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.6-02-15M

RN112-0.6-02-15M

Kuvaus: CMC 15MH 600MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Kuvaus: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1118(T5L,F,T)

RN1118(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN112-0.5-02-27M

RN112-0.5-02-27M

Kuvaus: CMC 27MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1117MFV,L3F

Kuvaus: TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN1115MFV,L3F

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN111PC

Kuvaus: CONN JACK MONO 6.35MM R/A

valmistajat: Conxall / Switchcraft

Varastossa

RN112-0.4-02

Kuvaus: CMC 39MH 400MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN112-0.5-02-18M

RN112-0.5-02-18M

Kuvaus: CMC 18MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1116(TE85L,F)

RN1116(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RN112-0.5-02-15M

RN112-0.5-02-15M

Kuvaus: CMC 15MH 500MA 2LN TH

valmistajat: Schaffner EMC, Inc.

Varastossa

RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.