Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > RN1971FE(TE85L,F)
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4299176RN1971FE(TE85L,F)-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

RN1971FE(TE85L,F)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    RN1971FE(TE85L,F)
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    RN1971FE(TE85L,F).pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • transistori tyyppi
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Toimittaja Device Package
    ES6
  • Sarja
    -
  • Vastus - emitteripohja (R2)
    -
  • Vastus - pohja (R1)
    10 kOhms
  • Virta - Max
    100mW
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    SOT-563, SOT-666
  • Muut nimet
    RN1971FE(TE85LF)CT
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Taajuus - Siirtyminen
    250MHz
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "RN1971FE(TE85L,F)" -tuotteita.
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1962TE85LF

RN1962TE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1973(TE85L,F)

RN1973(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1971TE85LF

RN1971TE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1911FETE85LF

RN1911FETE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1964TE85LF

RN1964TE85LF

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1970FE(TE85L,F)

RN1970FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1969FE(TE85L,F)

RN1969FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.