Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - ristikot, esia > RN2610(TE85L,F)
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
806683RN2610(TE85L,F)-kuvaToshiba Semiconductor and Storage

RN2610(TE85L,F)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    RN2610(TE85L,F)
  • Valmistaja / merkki
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    RN2610(TE85L,F).pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • transistori tyyppi
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Toimittaja Device Package
    SM6
  • Sarja
    -
  • Vastus - emitteripohja (R2)
    -
  • Vastus - pohja (R1)
    4.7 kOhms
  • Virta - Max
    300mW
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    SC-74, SOT-457
  • Muut nimet
    RN2610(TE85LF)TR
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Taajuus - Siirtyminen
    200MHz
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
  • DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    100mA

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "RN2610(TE85L,F)" -tuotteita.
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN25E-I/RM

RN25E-I/RM

Kuvaus: RF TXRX MODULE BLUETOOTH SMA ANT

valmistajat: Micrel / Microchip Technology
Varastossa
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Kuvaus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Kuvaus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
RN25S-I/RM

RN25S-I/RM

Kuvaus: RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT

valmistajat: Micrel / Microchip Technology
Varastossa
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.