RN2706JE(TE85L,F)

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RN2706JE(TE85L,F)
Valmistaja / merkki

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

RN2706JE(TE85L,F).pdf
Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistori tyyppi

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Toimittaja Device Package

ESV
Sarja

-
Vastus - emitteripohja (R2)

47 kOhms
Vastus - pohja (R1)

4.7 kOhms
Virta - Max

100mW
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

SOT-553
Muut nimet

RN2706JE(TE85LF)CT
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen

200MHz
Yksityiskohtainen kuvaus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max)

100mA

Seuraava on "RN2706JE(TE85L,F)" -tuotteita.

RN2901FE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2608(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2702TE85LF

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN262CST2R

Kuvaus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFQ

RN2710JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2701JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2705JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2711(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2703JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2709JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2607(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2704JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2707JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2610(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2712JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2901(T5L,F,T)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2713JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2708JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN2711JE(TE85L,F)

Kuvaus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

valmistajat: Toshiba Semiconductor and Storage

Varastossa

RFQ

RN262GT2R

Kuvaus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

RN2706JE(TE85L,F)

Pyydä tarjous

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

RN2901FE(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

RN2702TE85LF

RN262CST2R

RN2710JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

RN2901(T5L,F,T)

RN2713JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

RN262GT2R

Valitse kieli

Nykyinen kieli